Tesis doctoral de Elena Pascual Corral
En este trabajo hemos desarrollado un simulador bidimensional monte carlo de dispositivos a fin de investigar los procesos de transporte de carga y el ruido electrónico a alta frecuencia en transistores de efecto de campo soi-mosfet con contactos de fuente y drenador metálicos (schottky barrier mosfet o sb-mosfet). La gran importancia de los sb-mosfets radica en que se proponen como posible solución a algunos de los problemas asociados al escalado a dimensiones nanométricas de los dispositivos mosfet, permitiendo una notable reducción de las resistencias de acceso al canal. previamente se ha caracterizado el transporte a través de contactos metal-semiconductor. Para ello se han tenido en cuenta en la simulación diversos efectos característicos de estas estructuras (emisión termoiónica, efecto túnel cuántico y efecto schottky). Para el tratamiento del efecto túnel cuántico se ha empleado un algoritmo basado en la aproximación wkb. Hemos simulado diodos schottky y diodos schottky dobles (back-to-back) comparando con resultados experimentales, verificando así el correcto funcionamiento del simulador. el siguiente paso ha sido el estudio del transistor sb-mosfet mediante nuestro simulador monte carlo bidimensional. Se ha estudiado el efecto de variar algunos parámetros característicos de la arquitectura, como son altura de barrera, la longitud de underlap (separación del contacto de puerta con los contactos de fuente y drenador), o la longitud de puerta (dado su interés desde el punto de vista tecnológico). Se ha efectuado un análisis en profundidad de la variación de estos parámetros tanto desde el punto de vista de las características estáticas como dinámicas y de ruido a alta frecuencia, junto con la relación entre las figuras de mérito y las principales magnitudes internas del transporte en los dispositivos. De este modo hemos efectuado un análisis de las posibilidades de optimización de los sbmosfets, de especial interés para el futuro desarrollo aplicado de esta tecnología.
Datos académicos de la tesis doctoral «Modelado de estructuras schottky y de transistores mosfet con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia«
- Título de la tesis: Modelado de estructuras schottky y de transistores mosfet con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia
- Autor: Elena Pascual Corral
- Universidad: Salamanca
- Fecha de lectura de la tesis: 11/06/2010
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Raúl Rengel Estévez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: tomás González sánchez
- Antonio Garcia loureiro (vocal)
- david Jimenez jimenez (vocal)
- Andrés Godoy medina (vocal)