Tesis doctoral de José Domingo Santos Rodriguez
En la búsqueda de una energía solar fotovoltaica más barata, las denominadas tecnologías de lámina delgada han sido planteadas como posible alternativa a las células solares basadas en el silicio cristalino. Dentro de este grupo, el silicio amorfo (a -si:h) constituye una opción interesante, pues las técnicas empleadas en su proceso de crecimiento permiten el desarrollo de células fotovoltaicas a costes reducidos y altos ritmos de producción. la deposición química en fase de vapor asistida por pl asma (por sus siglas en inglés pecvd) es un claro ejemplo. Esta técnica, ampliamente extendida en el campo de la electrónica, ha demostrado con creces su fiabilidad, reproducibilidad, y la posibilidad de depositar en grandes áreas, aspectos muy relev antes en la fabricación de un módulo fotovoltaico. adicionalmente, los sistemas pecvd permiten obtener a-si:h de buena calidad a temperaturas compatibles con el uso de substratos plásticos de bajo coste (tí§150 c), que confieren al módulo final gran f lexibilidad, ligereza, y resistencia a la ruptura. Este tipo de substratos, posibilitan además la implementación de técnicas de producción en masa como la denominada roll-to-roll (r2r). Combinada con la interconexión monolítica mediante láser de las células que componen el módulo, contribuyen a reducir notablemente los costes y el tiempo de fabricación. no obstante, para aprovechar estas ventajas, el silicio amorfo debe superar ciertas limitaciones relacionadas con la elevada concentración de de fectos presentes en su estructura, y que se traduce en células solares de baja eficiencia. la presente memoria de investigación parte del estado aún inmaduro en el que se encontraban las células fotovoltaicas p-i-n de a-si:h desarrolladas en el ciema t, y aborda los diferentes problemas que surgen en el camino hacía la obtención de dispositivos con una buena eficiencia, y que además emplean substratos más económicos. como punto de partida, el trabajo se ha centrado en el análisis del efecto de la s condiciones de depósito en la calidad del semiconductor resultante, recurriendo para ello a diferentes técnicas de caracterización como la espectrofotometría uv/vis/nir, espectrofotometría ir, conductividad en función de la temperatura, fotoconduct ividad, xps, etc. Sobre la base de este estudio, las propiedades optoelectrónicas de cada una de las láminas que componen la estructura p-i-n han sido optimizadas a temperaturas compatibles con el uso de plásticos flexibles. finalizado este paso, el
Datos académicos de la tesis doctoral «Desarrollo y caracterización de dispositivos fotolvoltaicos p-i-n de silicio amorfo depositado por pecvd«
- Título de la tesis: Desarrollo y caracterización de dispositivos fotolvoltaicos p-i-n de silicio amorfo depositado por pecvd
- Autor: José Domingo Santos Rodriguez
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 09/07/2012
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- José Javier Gandía Alabau
- Tribunal
- Presidente del tribunal: María bianchi Méndez martín
- Carlos Molpeceres alvarez (vocal)
- joan Bertomeu balagueró (vocal)
- julio Cárabe lópez (vocal)