Pasivación de superficies semiconductoras y su influencia en las interfases metal-semiconductor

Tesis doctoral de Marta Martín Fernández

El objetivo fundamental de la tesis es contribuir al mejor entendimiento de fenómenos básicos tales como la pasivación de las superficies de semiconductores, y su influencia en el crecimiento de interfases metal/semiconductor. la estrategia experimental adoptada ha constado de dos etapas diferenciales: a,- en la primera, nos hemos concentrado en la preparación y caracterización de superficies o semiconductores, en concreto de silicio, pasivadas. La saturación de los enlaces libres presentes en las últimas capas del si(111), mediante la deposición h o sb, impide la formación de complicadas reconstrucciones,produciendo una terminación ideal del volumen. La capacidad de preparar superficies de semiconductores no reconstruídas es fundamental para determinar la contribución de dichas reconstrucciones y del orden local en ciertas propiedades, así como para el estudio de la estructura electrónica del volumen a través de su superifice. Además, puede facilitar la interpretación de los procesos de reacción que la tecnología del silicio involucra. b,- en la segunda, hemos utilizado la pasivación de superficies de semiconductores como punto de partida en el crecimiento de interfases metal/semiconductor, y hemos estudiado cómo y porqué las superficies pasivas modifican su formación. en particular, hemos estudiado como la presencia de h saturando los enlaces libres presentes en la superficie si(111)-1×1 influye, desde un punto de vista estructural, en el posterior crecimiento de los siliciros de hierro. asimismo, hemos crecido epitaxialmente y caracterizado la fase metaestable bcc del co sobre la superficie gaas (110) pasivada con sb, y analizado en detalle la influencia del sb en la calidad de la película de co crecida.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Pasivación de superficies semiconductoras y su influencia en las interfases metal-semiconductor«

  • Título de la tesis:  Pasivación de superficies semiconductoras y su influencia en las interfases metal-semiconductor
  • Autor:  Marta Martín Fernández
  • Universidad:  Autónoma de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  10/07/2001

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Asensio Ariño M. Carmen
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Sanz martínez José María (secretario)
    • federico Soria gallego (vocal)
    • alfredo Segura García del río (vocal)
    • (vocal)

 

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