Tesis doctoral de Porto Ortega Juan Antonio
En esta tesis se estudian teoricamente las propiedades de algunos tipos de estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad. En la primera parte se estudian los tiempos de tunneling en estructuras de doble barrera. para este fin se hace uso del metodo de estabilizacion. asimismo, se estudia el efecto del perfil de dopaje en los tiempos de tunneling asi como fenomenos de acumulacion de carga. En la segunda parte se estudian las propiedades electronicas de pozos cuanticos crecidos sobre superficies vecinales. Concretamente, se estudian de forma exhaustiva las diversas causas que pueden estar en el origen del corrimiento a altas energias de las transiciones electronicas en los pozos cuanticos vicinales. En la tercera parte se estudian las propiedades estructurales de agregados de semiconductores sintetizados en las cavidades de la zeolita y. Para dicho estudio se hace uso de un metodo de «tight-binding» no ortogonal y dinamica molecular, con el fin de obtener las estructuras de equilibrio de los agregados de semiconductores.
Datos académicos de la tesis doctoral «Propiedades electronicas de estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad.«
- Título de la tesis: Propiedades electronicas de estructuras semiconductoras de baja dimensionalidad.
- Autor: Porto Ortega Juan Antonio
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1996
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- dehesa Moreno Sanchez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Fernando Flores Sintas
- Ceferino Lopez Fernandez (vocal)
- Francisco Javier Meseguer Rico (vocal)
- Luis Martin Moreno (vocal)