Tesis doctoral de Fernando González Sanz
Estudio de la teoria basica de crecimiento de capas epitaxiales bajo deformacion. Determinacion del espesor de la capa critica y metodo de calculo de la misma en funcion del sustrato y la estructura utilizada. Se centro en el sistema ingaas/gaas. estudio de la estructura de bandas en pozos cuanticos sometidos a deformacion, incluyendo los offsets en las bandas de Valencia y conduccion y el desdoblamiento de las bandas de huecos ligeros y pesados. diseño de estructuras de pozo cuantico que permitan el estudio experimental de los anteriores puntos. Dichas muestras han sido crecidas por mbe y caracterizadas por procedimientos opticos y electricos.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estructuras de pozo cuantico y su aplicacion para transistores pseudomorficos fet de inxga1-xas/gaas«
- Título de la tesis: Estructuras de pozo cuantico y su aplicacion para transistores pseudomorficos fet de inxga1-xas/gaas
- Autor: Fernando González Sanz
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1991
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Elias Muñoz Merino
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Enrique Calleja Pardo
- Luis Víña Liste (vocal)
- José Antonio Martin Pereda (vocal)
- Carlos Tejedor De Paz (vocal)