Diseño y caracterizacion del proceso de deposicion por lpcvd del sio2 dopado para su utilizacion en tecnologías ulsi.

Tesis doctoral de Elias Paule Vazquez

Se ha diseñado un reactor para la deposicion del oxido de silicio dopado con boro y fosforo en substratos (*) de 150 mm de diametro y para ser utilizado en tecnologías submicronicas. Los reactivos utilizados han sido tmb, teos, ph3 y o2; la reaccion se activo termicamente y fue realizada a baja presion (lpcvd). Las propiedades de este material (bpteos) son sensiblemente superiores al material que se obtiene de la reaccion quimica sih4, ph3, b2h6 y o2; bpsg; y que se utiliza tradicionalmente en tecnologías superiores a la micra. Por ello este material (bpteos) es factiale de ser utilizado en tecnologías suamicronicas.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Diseño y caracterizacion del proceso de deposicion por lpcvd del sio2 dopado para su utilizacion en tecnologías ulsi.«

  • Título de la tesis:  Diseño y caracterizacion del proceso de deposicion por lpcvd del sio2 dopado para su utilizacion en tecnologías ulsi.
  • Autor:  Elias Paule Vazquez
  • Universidad:  Autónoma de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1992

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Martinez Duart José Manuel
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Juan Piqueras Piqueras
    • Emilio Martinez Gutierrez (vocal)
    • Aldella Martin J. María (vocal)
    • Domingo Gonzalez (vocal)

 

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