Tesis doctoral de Angel Mazuelas Esteban
Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterizacion de heteroestructuras de semiconductores iii-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripcion completa de la difraccion de rayos x como herramienta de caracterizacion de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como tensionadas. Se han determinado los espesores criticos de diversos semiconductores iii-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterizacion por difraccion de rayos x de heteroestructuras de semiconductores iii-v. aplicacion al diseño de superredes tensadas para epitaxia de gaas/si.«
- Título de la tesis: Caracterizacion por difraccion de rayos x de heteroestructuras de semiconductores iii-v. aplicacion al diseño de superredes tensadas para epitaxia de gaas/si.
- Autor: Angel Mazuelas Esteban
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1993
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Luisa González Sotos
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Javier Piqueras De Noriega
- Carmen Ballesteros Perez (vocal)
- Rafael Garcia Roja (vocal)
- (vocal)