Tesis doctoral de Ali Benmessaoud
Se ha escogido la técnica pecvd para obtener depósitos de subóxido de silicio, siox, de espesores del orden de la micra, sobre substratros de si de dos pulgadas. Hemos logrado depósitos con contenildos de oxígeno entre 1.3 y 2.0, y un intervalo de índices de refracción comprendidos entre 1.96 (próximo al si2n4) y 1.46 (sio2). La estructura (en particular, la porosidad), uniformidad y tensión de las capas son mejores cuanto menor es el contenido de oxígeno. Además, las capas crecidas contienen impurezas en forma de enlaces si-h, n-h, si-oh y h2o. El contenido de impurezas varia de forma gradual desde capas pobles en oxígeno con una gran cantidad de enlaces si-h y n-h, y nulo contenido de si-oh h2o, y capas de estructura próxima al óxido estequiométrico, con nulo contenido de enlaces si-h y n-h, y alto contenido de si-oh y h2o. Se ha investigado las condiciones de temperatura, potencia y presión de los procesos de depósito, susceptibles de mejora de la calidad de las capas crecidas. El aumento de la temperatura de depósito (hasta 350ºc) y de la potencia (hasta 50 w, límite impuesto por la disminución de uniformidad), disminuye el contenido de impurezas de las capas; sin embargo, el aumento gradual de la tensión con el aumento del contenido del oxígeno de las capas, aconseja que los depósitos se crezcan a menores valroes de temperatura y potencia en la obtención de capas ricas en oxígeno. por lo que se refiere a la presión, valores bajos (100 m torr), favorecen la disminución de impurezas; sin embargo, el aumento del orden estructural que comporta el aumento de la presión (hasta 300 m torr), inhibe el acomodo de impurezas en capas ricas en oxígeno, por lo que la calidad de los depósitos se verá favorecida procedimiento a un aumento de la presión a medida que se crezcan capas con un previsible mayor contenido de si-oh y h2o. La mejora de las condiciones de depósito no soluciona dos problemas fundamentales; por
Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterización de subóxidos de silicio obtenidos por la técnica pecvd«
- Título de la tesis: Caracterización de subóxidos de silicio obtenidos por la técnica pecvd
- Autor: Ali Benmessaoud
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 17/12/2001
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Jordi Pascual Gainza
- Tribunal
- Presidente del tribunal: joan Esteve pujol
- Carlos Dominguez horna (vocal)
- José Millan gomez (vocal)
- josep Calderer cardona (vocal)