Calculos abinitio de la estructura electronica de defectos e impurezas en silicio.

Tesis doctoral de Gabriel Diaz Orueta

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Calculos abinitio de la estructura electronica de defectos e impurezas en silicio.«

  • Título de la tesis:  Calculos abinitio de la estructura electronica de defectos e impurezas en silicio.
  • Autor:  Gabriel Diaz Orueta
  • Universidad:  Autónoma de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1989

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Fernando Flores Sintas
    • Rosa Caballol (vocal)
    • José Verjes Brotons (vocal)
    • Luis Viña (vocal)

 

Deja un comentario

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *

Scroll al inicio