Tesis doctoral de Riccardo Rurali
Se han utilizado las más avanzadas técnicas de cálculos teóricos de estructura electrónica para estudiar los defectos puntuales en carburo de silicio. en particular se ha abordado el estudio de la difusión de boro, la difusión de vacantes y del dopaje a alta dosis con nitrógeno i fósforo. La tesis se enfoca en los mecanismos a la escala atómica responsable de estos procesos cuya relevancia tecnológica es de primaria importancia en la fabricación de dispositivos microelectrónicos.
Datos académicos de la tesis doctoral «Theoretical studies of defects in silicon carbide«
- Título de la tesis: Theoretical studies of defects in silicon carbide
- Autor: Riccardo Rurali
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 17/12/2003
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Eduardo Hernández
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Juan Santiago Muñoz domínguez
- daniel Sánchez portal (vocal)
- Alberto García arribas (vocal)
- stefan Estreicher (vocal)