Tesis doctoral de Julio Pellicer Porres
Estudio de la evolución estructural completa de estos semiconductores bajo presión, utilizando técnicas x afs. Determinación de la evolución de las distancias intra e intercapa bajo presión. Analogía entre la estructura de bandas del gate y la del resto de semiconductores de la familia. Estudio del frente de absorción del gate bajo presión. Evolución del gap directo, gap indirecto, ryberg excitónico, anchura excitónica y elemento de matriz bajo presión. Evolución bajo presión del índice de refracción del gate en el infrarrojo medio. Determinación del índice de refracción perpendicular a las capas en el infrarrojo próximo.
Datos académicos de la tesis doctoral «Propiedades opticas y estructurales de semiconductores iii-vi bajo presion.«
- Título de la tesis: Propiedades opticas y estructurales de semiconductores iii-vi bajo presion.
- Autor: Julio Pellicer Porres
- Universidad: Universitat de valéncia (estudi general)
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1999
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Alfredo Segura García Del Río
- Tribunal
- Presidente del tribunal: alfonso Muñoz gonzalez
- alain Polian (vocal)
- Fernando Rodriguez gonzalez (vocal)
- isabel Castro bleda (vocal)