Tesis doctoral de Ferran Suárez Arias
L objetivo principal de esta tesis ha sido abordar la fabricación de láseres de semiconductor con nanoestructuras en su zona activa, como son los puntos, anillos, y, fundamentalmente, los hilos cuánticos basados en fenómenos de auto-ensamblado. Las estructuras propuestas han sido del tipo «confinamiento separado de luz y portadores (sch)», con una guía de ondas basada en superredes de periodo corto, y el método de crecimiento ha sido el de epitaxia por haces moleculares (mbe). Para los láseres de anillos cuánticos se han utilizado sustratos de gaas y las superredes utilizadas han sido del tipo alas/gaas. Para los láseres de hilos cuánticos se han utilizado sustratos de inp y superredes gainas/inp acopladas en parámetro de red al inp. Así mismo se han fabricado diodos láser, con la finalidad de caracterizar los dispositivos y determinar sus propiedades de funcionamiento, relacionándolas con las propiedades fundamentales de las nanoestructuras. Las estructuras crecidas se han caracterizado estructural, eléctrica y óptimamente. Para ello se ha utilizado diversas técnicas y métodos de caracterización como: microscopía de transmisión de electrones (tem), microscopía de fuerzas atómicas (afm), difracción de rayos x, mediadas hall, fotoluminiscencia (pl), fotoluminiscencia de excitación (ple) y fotocorriente (pc). Los resultados obtenidos han servido para profundizar en los aspectos de crecimiento y optimizar las estructuras. Se ha medido las características opto-electrónicas de los diodos láser en función de la temperatura. Así mismo se han realizado medidas de la divergencia del haz (campo lejano) y medidas espectrales, tanto en emisión espontánea como en emisión láser. De las medidas de emisión espontánea se ha obtenido la ganancia óptica de los dispositivos mediante el método de hakki y paoli. En el sistema inas/inp (hilos cuánticos), se han estudiado los procesos de crecimiento de superredes gainas/inp en sustratos de inp para
Datos académicos de la tesis doctoral «Aspectos de crecimiento, fabricación y caracterización de diodos láser basados en nanoestructuras semiconductoras«
- Título de la tesis: Aspectos de crecimiento, fabricación y caracterización de diodos láser basados en nanoestructuras semiconductoras
- Autor: Ferran Suárez Arias
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 19/06/2007
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Dotor Castilla María Luisa
- Tribunal
- Presidente del tribunal: ignacio Esquivias moscardo
- dolores Golmayo fernández (vocal)
- Luisa González sotos (vocal)
- adrián Hierro cano (vocal)