Tesis doctoral de Andres Mujica Fernaud
La aplicación de presion a un material constituye una forma directa de modificar las distancias interatómicas y de alterar de este modo sus propiedades fisicas. En particular, la variación de la energia interna de un solido puede conducir a una situación de inestabilidad y a una transición hacia una fase con estructura y propiedades muy diferentes de las de las fases de baja presión. Este area de investigación ha producido en los ultimos años un numero de resultados nuevos y excitantes que permiten un intercambio fructifero entre la teoria y los experimentos. El objeto de este trabajo es el estudio teorico de las fases de alta presión en los semiconductores del grupo iva si y ge y en los compuestos binarios de la familia iiia-va a1p, a1as, a1sb, gaas, gap,inp, e inas. El metodo utilizado en el calculo de la energia interna de las distintas fases es una aplicación de la teoria del funcional de la densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas. En el caso del si y del ge reproducimos correctamente la secuencia de transiciones observada y encontramos un buen acuerdo con los valores experimentales de los parametros estructurales de las distintas fases. en el caso del ge sugerimos la posibilidad de obtener una fase de tipo cmca (ortorrombica con 16 atomos en la celda convencional) semejante a la observada en si. Los resultados para las fases de baja presion bc8,r8 y st12 son consistentes con las observaciones experimentales (metaestabilidad, estructura interna). En el caso de los materiales de la familia iiia-va nuestros resultados apoyan la existencia de fases estables o cercanas a la estabilidad de tipo cmcm, asi como la posibilidad de obtener experimentalmente fases de tipo imm2. Obtenemos asimismo un cierto intervalo de estabilidad para la fase sc 16 (analogo binario de la fase bc8 observada en si y ge) en el caso de gaas y de gap. El estudio de la fase de tipo cinabrio observada en gaas revela que esta solo puede ex
Datos académicos de la tesis doctoral «Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores iva y iii a-va a alta presion«
- Título de la tesis: Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores iva y iii a-va a alta presion
- Autor: Andres Mujica Fernaud
- Universidad: La laguna
- Fecha de lectura de la tesis: 17/11/2000
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Alfonso Muñoz Gnozalez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: jose Breton peña
- Alberto Garcia arribas (vocal)
- alfredo Segura García del río (vocal)
- angel Rubio secades (vocal)