Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo n en telururo de cadmio y mercurio (mct) mediante tecnicas de implantacion ionica y tratamientos termicos rapidos (rta)

Tesis doctoral de Lopez Rubio José Angel

Esta tesis doctoral trata del desarrollo de una tecnología de dopado tipo n sobre cristales tipo p de hgl-xcdte (telururo de cadmio y mercurio) mediante el uso de tecnicas de implantacion ionica y recocidos termicos rapidos. En primer lugar, se ha realizado un estudio de los efectos de los recocidos rta sobre las propiedades electricas de los substratos de partida sin implantar. seguidamente se ha caracterizado el efecto de los ciclos rta sobre capas implantadas de in y b. Se ha desarrollado un proceso rta postimplantacion que elimina el daño de implantacion y permite la activacion electrica de las especies implantados.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo n en telururo de cadmio y mercurio (mct) mediante tecnicas de implantacion ionica y tratamientos termicos rapidos (rta)«

  • Título de la tesis:  Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo n en telururo de cadmio y mercurio (mct) mediante tecnicas de implantacion ionica y tratamientos termicos rapidos (rta)
  • Autor:  Lopez Rubio José Angel
  • Universidad:  Politécnica de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1995

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Jesús Sangrador Garcia
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: José María Ruiz Perez
    • Ernesto Dieguez Delgado (vocal)
    • German Gonzalez Diaz (vocal)
    • Algora Del Valle Carlos (vocal)

 

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