Tesis doctoral de Mohamed Abd El Maid Hamed Hamdy
Modelado compacto de dispositivos mosfet de puerta múltiple hamdy m. Abd el hamid resumenen esta tesis hemos estudiado las características de los dispositivos mosfet no dopados de puerta múltiple (multiple-gate mosfets), con dimensiones nanométricas. Hemos introducido modelos compactos de los efectos de canal corto (sces) para tres tipos de dispositivos mos de puerta múltiple (surrounding-gate mosfet, double-gate mosfet, y finfet). Se han conseguido modelar los principales parámetros afectados por los efectos de canal corto.Este trabajo supone un avance muy importante en el modelado de los nuevos dispositivos nanométricos mos de puerta múltiple. Una buena prueba de ello es que la mayor parte de los resultados presentados en esta tesis se han publicado (o están aceptados para publicación) en prestigiosas revistas internacionales y en actas de congresos internacionales de reconocido prestigio.
Datos académicos de la tesis doctoral «Compact modeling of multiple gate mos devices«
- Título de la tesis: Compact modeling of multiple gate mos devices
- Autor: Mohamed Abd El Maid Hamed Hamdy
- Universidad: Rovira i virgili
- Fecha de lectura de la tesis: 16/05/2007
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Benjamin Iñiguez Nicolau
- Tribunal
- Presidente del tribunal: eugeni Garcia moreno
- denis Flandre (vocal)
- Francisco Gamiz perez (vocal)
- m.jamal Deen (vocal)