Tesis doctoral de LLuis Closas Torrente
Es un estudio de una zona semiconductura sometida a bombardeo electroncio por un haz electronico de un microscopio electronico de barido para posteriormente aplicarlos a la medida de la longitud de difusion y velocidad de recombinacion superficial. Dicho modelo se ha desarrollado para el caso de dopado constante y de pado variable
Datos académicos de la tesis doctoral «Contribucion a la caracterizacion de semiconductores por el metodo de corriente inducida por haz de electrones«
- Título de la tesis: Contribucion a la caracterizacion de semiconductores por el metodo de corriente inducida por haz de electrones
- Autor: LLuis Closas Torrente
- Universidad: Politécnica de catalunya
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1983
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Luis Castañer Muñoz
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Josep Codina Vidal
- Francisco Serra Mestres (vocal)
- Tura Soteras Josep M (vocal)
- (vocal)