Tesis doctoral de Valtueña Pablo Juan Francisco
El desarrollo de las comunicaciones por fibra optica con una longitud de onda de trabajo en torno al 1.55 nm hace necesaria la utilizacion de materiales como el inxga1-xas con x superior a 50%, que se obtiene por crecimientos epitaxiales sobre sustratos de inp. Sin embargo, la tecnología actual en semiconductores iii-v se encuentra mas desarrollada sobre sustratos de gaas. La integracion de los dispositivos opticos activos: detectores, moduladores, emisores…, Sobre sostratos de gaas supone un avance en cuanto a su utilizacion con etapas de amplificacion y control desarrolladas en una tecnología mas consolidada como la de circuitos de microondas sobre gaas. se han utlizado capas con una variacion lineal del contenido de in (graduales) que satisfacen una relajacion por multiplicacion de dislocaciones. por otro lado y como campo emergente en el desarrollo de aplicaciones y dispositivos optoelectronicos, se han estudiado estructuras de ingaas sobre sustratos de gaas con orientacion (111)b.
Datos académicos de la tesis doctoral «Contribucion al desarrollo de fotorreceptores de ingaas y a la integracion de estructuras metamorficas sobre sustratos de gaas.«
- Título de la tesis: Contribucion al desarrollo de fotorreceptores de ingaas y a la integracion de estructuras metamorficas sobre sustratos de gaas.
- Autor: Valtueña Pablo Juan Francisco
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1997
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Izpura Torres José Ignacio
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Elias Muñoz Merino
- Rafael Garcia Roja (vocal)
- German Gonzalez Diaz (vocal)
- Luisa González Sotos (vocal)
