Tesis doctoral de Fernandez Reyna Rosa M.
El objetivo de esta tesis es el analisis y desarrollo de diodos emisores de luz infrarroja de gran area de gaas y alxgai-xas, de emision por superficie y estructura planar, para su posible utilizacion en comunicaciones opticas no guiadas. Para ello se han fabricado dispositivos de distintos tamaños sobre estructuras diferentes con el objeto de observar la incidencia del area en la eficiencia cuantica externa y los tiempos de conmutacion. Para la fabricacion de dispositivos se han utilizado tres tipos de estructuras internas: una de ellas es una heterounion de alxga1-xas, la segunda consiste basicamente en una doble heteroestructura de p-al0,45ga0,55as/p-gaas/n-al0,45ga0,55as y un reflector de bragg y la ultima es una homounion de gaas. se han modelado teoricamente la eficiencia cuantica externa, la caida que esta experimenta debido a la resistencia serie y al calentamiento y los tiempos de conmutacion. Como resultado se han obtenido expresiones teoricas para dichas carcteristicas en las que se incluye la dependencia con el area. Estas expresiones se han utilizado para realizar un diseño optimo siguiendo determinados criterios y usando como parametros de diseño el area del dispositivo y el factor de recubrimiento del contacto frontal.
Datos académicos de la tesis doctoral «Desarrollo de emisores de luz infrarroja de gran area de gaas y alxga1-x.«
- Título de la tesis: Desarrollo de emisores de luz infrarroja de gran area de gaas y alxga1-x.
- Autor: Fernandez Reyna Rosa M.
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1997
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Antonio Marti Vega
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Antonio Luque Lopez
- Garde Alduncin María José (vocal)
- Fernando González Sanz (vocal)
- Keith Barnham (vocal)