Tesis doctoral de Silveira Martin Juan Pedro
La utilizacion de una cinetica de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtencion de capas de gaas impurificada con silicio, alcanzandose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este limite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. una caracterizacion optica y electrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificacion (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 10% de la densidad de electrones. la aplicacion de esta cinetica a la obtencion de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (inas y alas) ha sido estudiada, observandose una aximetria en el crecimiento de un semiconductor sobre el otro y viceversa. posteriormente se han obtenido superredes con estos dos materiales.
Datos académicos de la tesis doctoral «Efectos de una cinetica bidimensional de crecimiento sobre la incorporacion de impurezas y estructura de semiconductores iii-v por haces moleculares.«
- Título de la tesis: Efectos de una cinetica bidimensional de crecimiento sobre la incorporacion de impurezas y estructura de semiconductores iii-v por haces moleculares.
- Autor: Silveira Martin Juan Pedro
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1993
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Castaño Palazón José Luis
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Rojo Alaminos Juan M.
- Francisco Javier Piqueras De Noriega (vocal)
- Juan Piqueras (vocal)
- (vocal)