Tesis doctoral de Perez Camacho Juan Jose
Se presenta el crecimiento y caracteristicas de nuevas heteroestructuras ga1-x inx sb/al1-y in y sb en sustratos gaas (001) aplicados al desarrollo de fotodetectores de infrarrojo medio. La respuesta fotovoltaica es similar a la de otros dispositivos de antimonio crecido sobre sustratos gasb (001). nuestro sistema permite operar en toda la region espectral del infrarrojo medio que resulta imposible de alcanzar con sistemas ga1-x inx as/a1 1-y in y as en sustratos inp. para crecer las heteroestructuras pin se ha utilizado epitaxia de haces moleculares. se ha demostrado la nucleacion bidimensional de gasb y alsb en sustratos gaas (001). En condiciones similares los compuestos ternarios gainsb y alinsb muestran nucleacion tridimensional. se han obtenido niveles adecuados de dopante en capas ga1-xinx sb y al1-y in y sb utilizando snte y be como dopante de tipos n y p respectivamente.
Datos académicos de la tesis doctoral «Epitaxia de haces moleculares de compuestos de antimonio sobre gaas (001): aplicacion al desarrollo de detectores de infrarrojo medio.«
- Título de la tesis: Epitaxia de haces moleculares de compuestos de antimonio sobre gaas (001): aplicacion al desarrollo de detectores de infrarrojo medio.
- Autor: Perez Camacho Juan Jose
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1995
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Briones Fernandez Pola
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Oton Sanchez José Manuel
- Anguita Estefania José V. (vocal)
- Rafael Garcia Roja (vocal)
- Ruiz Y Ruiz De Gopegui Ana (vocal)