Estudio de dispositivos de potencia igbt laterales y efecto de la temperatura sobre sus caracteristicas electricas.

Tesis doctoral de Miquel Vellvehi Hernandez

Este trabajo va dirigido al estudio del comportamiento eléctrico de estructuras igbt laterales, haciendo especial énfasis en su comportamiento térmico. Se han diseñado, fabricado y caracterizado 5 tipos diferentes de estructuras igbt laterales, de las cuales dos son de concepción propia. Las simulaciones realizadas muestran un mejor comportamiento eléctrico de la nueva estructura diseñada en el marco de este trabajo. Estos resultados han sido corroborados experimentalmente. La otra estructura propuesta está basada en la anterior, pero añadiendo una difusión de shorted-anode para la mejora de las pérdidas en conmutación. Se ha puesto especial interés en el desarrollo de un sistema de caracterización dinámica que permitiera hacer medidas dinámicas ya sea bajo carga resistiva e inductiva.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio de dispositivos de potencia igbt laterales y efecto de la temperatura sobre sus caracteristicas electricas.«

  • Título de la tesis:  Estudio de dispositivos de potencia igbt laterales y efecto de la temperatura sobre sus caracteristicas electricas.
  • Autor:  Miquel Vellvehi Hernandez
  • Universidad:  Autónoma de barcelona
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1998

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Rebollo Palacios José Andres
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Joan Peracaula Roura
    • Bailon Vega Luis Alberto (vocal)
    • Francisco Serra Mestres (vocal)
    • Enrique Dedé García-santamaría (vocal)

 

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