Tesis doctoral de Tomas Fernandez Ibañez
En la tesis se presenta un nuevo modelo gran señal para gaas mesfet facilmente implementable en simuladores no lineales comerciales como mds, etc. Se ha llevado a cabo el diseño e implementacion de los sistemas de medida necesarios para caracterizarlos dispositivos en los distintos regimenes de funcionamiento. Como novedad introducida en el trabajo presentado decir que a partir de medidas pulsadas en puntos de polarizacion frios y calientes se obtiene un modelo de transistor capaz de reproducir el comportamiento del dispositivo en regimen dc, pulsado y rf pequeña y gran señal, dando cuenta de los efectos de segundo orden que tienen lugar dentro del transistor, como son la dispersion frecuencial, la debida al punto de polarizacion y la temperatura. Como validacion de la nueva via de modelado presentado se realizan comparaciones entre resultados experimentales y simulaciones llevadas a cabo sobre el simulador no lineal mds en las que se aprecia, para distintos dispositivos y distintas tecnologías, como el modelo responde a los distintos regimenes de funcionamiento anteriormente mencionados.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio del comportamiento dinamico y modelado gran señal de dispositivos gaas mesfet para comunicaciones en tecnología monolitica.«
- Título de la tesis: Estudio del comportamiento dinamico y modelado gran señal de dispositivos gaas mesfet para comunicaciones en tecnología monolitica.
- Autor: Tomas Fernandez Ibañez
- Universidad: Cantabria
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1996
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Antonio Tazon Puente
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Garcia Garcia José Luis
- LLuis Pradell Cara (vocal)
- Félix Pérez Martínez (vocal)
- Esteves Duarte Pedro José Carlos (vocal)