Tesis doctoral de Jose Millan Gomez
En este trabajo se formula un modelo fisico basado en la conduccion por tunel resonante del dispositivo metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss) que explica los resultados experimentales. Obtenemos expresiones analiticas de su caracteristica tension-corriente de la corriente y de la tension en el punto de conmutacion asi como de la impedancia del dispositivo en estado estacionario.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio del fenomeno de la conmutacion en dispositivos metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss).«
- Título de la tesis: Estudio del fenomeno de la conmutacion en dispositivos metal-aislante-semiconductor-semiconductor (miss).
- Autor: Jose Millan Gomez
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1981
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Francisco Serra Mestres
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Serra Mestres
- Pedro Cartujo Estébanez (vocal)
- Juan Santiago Muñoz Domínguez (vocal)
- Juan Buxo Santaolaria (vocal)