Tesis doctoral de Albert Orpella García
El objetivo principal de este trabajo ha sido realizar una aportación al estudio del funcionamiento y de la tecnología de fabricación de transistores bipolares de silicio con emisor de silicio-carbono amorfo depositado mediante pecvd. La metodología utilizada ha consistido en adecuar primero un modelo usado para los emisores de polisilicio, modificándolo con la finalidad de considerar la diferencia entre la energía del gap de la capa depositada y el sustrato de base. Se ha fabricado después una estructura transistor base, caracterizándola y comparando los resultados experimentales con los teóricos. Finalmente se han realizado otras estructuras transistor mejorando el proceso de fabricación y consiguiendo mejores prestaciones. Así pues, las fases más importantes de este trabajo son: – revisión de los trabajos más importantes referenciados que tratan sobre la tecnología de fabricación de los transistores bipolares con emisor depositado mediante cvd. – repaso de los diferentes modelos propuestos para los emisores de polisilicio, escogiendo y adaptando uno de ellos a los materiales amorfos con una energía del gap mejor que el silicio cristalino de la base. – fabricación de una primera estructura transistor y caracterización de la capa de emisor depositada y del transistor obtenido. – partiendo de la interpretación física de funcionamiento de la estructura transistor realizada, se ha variado el proceso de fabricación obteniendo nuevas estructuras con mejores factores de mérito. Esta variación se ha centrado en el estudio de la difusión de los átomos de impurezas del dopado de emisor hacia la base y en la disminución de la resistencia de contacto de emisor utilizando emisores de doble capa. se han conseguido así los siguientes resultados: – obtención de un modelo que ajusta y explica los resultados experimentales. Los resultados teóricos concluyen que los transistores con emisor de gap ancho ti
Datos académicos de la tesis doctoral «Fabricacion, caracterizacion y modelado de transistores bipolares con emisor de silicio-carbono amorfo recocido.«
- Título de la tesis: Fabricacion, caracterizacion y modelado de transistores bipolares con emisor de silicio-carbono amorfo recocido.
- Autor: Albert Orpella García
- Universidad: Politécnica de catalunya
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/2000
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Ramón Alcubilla González
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Luis Castañer muñoz
- xavier Correig blanchar (vocal)
- jordi Andreu batallé (vocal)
- Manuel Lozano fantoba (vocal)