Tesis doctoral de Thomas Utzmeier
En esta memoria se estudia el campo de hetero-epitaxias con gran diferencia de parametro de red que se resistirian a formar un monocristal si tuvieramos condiciones de equilibrio. Muy recientemente se ha empezado el interes por dichas estructuras semiconductoras que ya han revelado efectos muy interesantes, tanto a nivel fundamental como tambien, por ejemplo, para fines industriales, tal como mejorar las propiedades de laseres de pozo cuantico. la epitaxia de haces molecualres (mbe) es hoy en dia una de las tecnicas de fabricacion de materiales monocristalinos mas sofisticadas. Los comienzos de esta tecnica tienen su origen en los años 60 y desde entonces ha gozado de un interes, cada vez mas creciente hasta llegar a ser empleda para la produccion industrial. En principio solamente fue utilizada para la fabricacion de homoepitaxias o bien de hetero-epitaxias casi acopladas, es decir con diferencias de parametro de red del orden de 1×10-4. el estudio que vamos a presentar a continuacion se limitara fundamentalmente a combinaciones de materiales semiconductores en las que un constituyente tiene una pequeña anchura de banda prohibida mientras que el otro tienen un banda prohibida ancha, ya que estas combinaciones, en ultimo termino, son las apropiadas para ser empleadas en dispositivos que funcionan en base a la cunatizacion de los portadores. En esta cuantizacion se basan los nuevos sistemas de puntos cuanticos que se presentaran en el capitulo 7. esta memoria se estructura de la siguiente manera: en los capitulos 2 y 3 se describiran brevemente las tecnicas de caracterizacion de las muestras obtenidas y la tecnica de preparacion por mbe o bien por epitaxia de haces moleculares de capas atomicas (almbe). A continuacvion se presentaran resultados obtenidos con epitaxias de insb sobre substratos de inp. El capitulo 5 se dedica a estructuras formadas por superredes de insb e inp, una combinacion que, en principio, promete ser
Datos académicos de la tesis doctoral «Fabricacion por epitaxia de haces moleculares (mbe) y propiedades de nanoestructuras en sistemas epitaxiales iii-v altamente tensionados (insb/inp, inas/inp, inas/gaas).«
- Título de la tesis: Fabricacion por epitaxia de haces moleculares (mbe) y propiedades de nanoestructuras en sistemas epitaxiales iii-v altamente tensionados (insb/inp, inas/inp, inas/gaas).
- Autor: Thomas Utzmeier
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1997
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Briones Fernandez Pola
- Tribunal
- Presidente del tribunal: José Antonio Martin Pereda
- Ruiz Ruiz De Copegui Ana (vocal)
- Enrique Calleja Pardo (vocal)
- Gaspar Armelles Reig (vocal)