Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio.

Tesis doctoral de Eduardo Garcia Parada

Este trabajo esta dedicado al estudio y desarrollo de procesos de baja temperatura inducidos mediante fotones ultravioleta para el deposito y para tratamientos post-deposito de capas finas amorfas de oxidos de silicio sobre semiconductores.Se presenta un estudio exhaustivo de las capas depositadas y tratadas. El alto control del proceso de deposito quimico fotoinducido a partir de fase vapor (foto-uv-cvd) permite el analisis de aspectos concretos como las formas de incorporacion de impurezas a las capas (especialmente hidrogeno), los cambios estructurales que se producen o un detallado analisis del proceso de envejecimiento de las capas. Por otro lado, se presenta el proceso de reconocido uv con unha novedosa lampara excimera de descarga silenciosa que emite fotones a una longitud de onda 193 nm. Este proceso se muestra altamente efectivo a temperatura ambiente y sin producir daños en los dispositivos para inducir fotoliticamente procesos como la pasivacion, reoxidacion y relajacion de tension en las capas de oxido de silicio, con lo que se consigue una adecuacion a baja temperatura para su utilizacion en aplicaciones tecnologicas.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio.«

  • Título de la tesis:  Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio.
  • Autor:  Eduardo Garcia Parada
  • Universidad:  Vigo
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1996

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Leon Fong Betty M.
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: María no Pérez-martínez Y Pérez-amor
    • Tamas Szorenyi (vocal)
    • Jean Flicstein (vocal)
    • Elias Muñoz Merino (vocal)

 

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