Tesis doctoral de Collantes Metola Juan M.
Partiendo del tipo de transistor a modelar, se ha elegido el tipo de modelo circuital y se ha seleccionado la topología. El proceso se ha completado con la extracción de los parámetros intrínsecos y extrínsecos, se ha obtenido la variación de los elementos con la polarización y las funciones no lineales de ajuste. El modelo se ha validado en pequeña señal y se ha hecho una validación exhaustiva en gran señal. El proceso de caracterización experimental se ha realizado en regimen pulsado. La validación de las medidas se ha hecho con la técnica de load-pull.
Datos académicos de la tesis doctoral «Modelado de transistores mosfet de potencia para aplicaciones de radio frecuencia en banda l.«
- Título de la tesis: Modelado de transistores mosfet de potencia para aplicaciones de radio frecuencia en banda l.
- Autor: Collantes Metola Juan M.
- Universidad: Cantabria
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1998
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Angel Mediavilla Sanchez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Eduardo Artal Latorre
- Raymond Quere (vocal)
- Velazquez Perez Jesús Enrique (vocal)
- Pierre Villote Jean (vocal)