Modellado fisico de dispositivos basados en heteroestructuras para aplicaciones de radiofrecuencia.

Tesis doctoral de Grajal De La Fuente Jesús

Esta tesis profundiza en la problemática propia de las heteroestructuras y del transporte a través de interfases mediante simulaciones físicos. Se han estudiado tanto heteroestructuras metal-semiconductor, diodos schottky, como heteroestructuras semiconductor-semiconductor, transistores bipolares basados en heteroestructuras (hbts), utilizadas en aplicaciones de radiofrecuencia. El punto de partida fue la teoría clásica de arrastre y difusión, complementada con modelos adecuados para el transporte en las interfases. La comprensión de las limitaciones de esta aproximación ha servido para ampliar este modelo, de modo que incluya aspectos tan importantes como generación de calor o transporte no estacionario. también se ha avanzado por la vía de adaptarse a la geometría de los dispositivos a través de un simulador bidimensional para hbts. Por último, se ha integrado un simulador unidimensional para diodos schottky en un simulador circuital basado en la técnica de balance armónico. Se pretende con ello desarrollar una herramienta capaz de evitar el uso de circuitos equivalentes y que permita el diseño conjunto del dispositivo y del entorno circuital.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Modellado fisico de dispositivos basados en heteroestructuras para aplicaciones de radiofrecuencia.«

  • Título de la tesis:  Modellado fisico de dispositivos basados en heteroestructuras para aplicaciones de radiofrecuencia.
  • Autor:  Grajal De La Fuente Jesús
  • Universidad:  Politécnica de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1998

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Javier Gismero Menoyo
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Félix Pérez Martínez
    • Carlos Camacho Peñalosa (vocal)
    • Luis Prat Viñas (vocal)
    • Carlos Pedro Jose (vocal)

 

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