Robustness analysis of nanometric sram memories

Tesis doctoral de Elena Ioana Vatajelu

La tesis doctoral se centra en el análisis de la robustez de celdas de memoria estáticas de acceso aleatorio (sram) en tecnologías nanométricas. Se empieza con el análisis del estado del arte en donde se introduce el tema y se pone de manifiesto su importancia. La robustez de la memoria sram se define como el máximo nivel de ruido tolerable por la celda para mantener su estado y correcta operación. El segundo capítulo se centra en el análisis de la robustez de la celda sometida a ruidos estáticos. En primer lugar, se perfilan las métricas de robustez existentes con especial émfasis en la métrica conocida como margen de ruido estático (snm), ampliamente utilizada hoy día. En la tesis se proponen dos nuevas estrategias de evaluación del ruido estático y se validan mediante la comparación con métricas ya existentes. Se analiza la sensibilidad de la robustez de las memorias sram frente a variaciones de proceso, tensión de alimentación y temperatura. El tercer capítulo se dedica al estudio de la robustez dinámica de las celdas sram se realiza una breve descripción del comportamiento dinámico de éstas basado en métodos no lineales. Se resumen las principales métricas de robustez con émfasis en la robustez que presentan las celdas sram a «single event upsets» (seu). Se han estudiado las métricas de ruido dinámico aparecidas recientemente en la literatura. En la tesis se presentan dos nuevas estrategias que permiten la evaluación del comportamiento dinámico de la celda. La primera evalúa los márgenes de funcionalidad de la celda durante sus diferentes modos de funcionamiento mediante el uso de planos de fase. La segunda estrategia propone una nueva métrica dinámica para las celdas sram suponiendo ruidos en tensión. Los resultados de simulación muestran el uso de la métrica como indicador de robustez en presencia de ruidos dinámicos en tensión. en el cuarto capítulo se analiza estadísticamente la funcionalidad de la celda sram. Se propone un nuevo método (satisfiability boundary – statistical integration (sb-si)) para el análisis estadístico de la celda sram bajo variaciones de proceso. La eficiencia del método presentado se demuestra mediante la comparación con simulaciones monte carlo aceleradas. Mediante el uso del método presentado (sb-si) se evalúa la robustez de la celda sram en reposo empleando diferentes tensiones de alimentación y suponiendo distintas condiciones ambientales. A continuación se evalúa la funcionalidad de la celda con distintas especificaciones. En el quinto capítulo se estudian métodos de mitigación de los efectos de la variabilidad de proceso sobre la funcionalidad de la celda sram y se emplea el concepto «satisfiability boundary» para la comparación de los métodos adoptados. Las principales contibuciones origiales de la tesis son: 1) nuevas métricas para el análisis de la robustez estática, 2) nuevas métricas para el análisis de la robustez dinámica, 3) un nuevo método de estudio estadístico, 4) un nuevo método que permite el estudio cualitativo y cuantitativo de las diferentes técnicas de mitigación.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Robustness analysis of nanometric sram memories«

  • Título de la tesis:  Robustness analysis of nanometric sram memories
  • Autor:  Elena Ioana Vatajelu
  • Universidad:  Politécnica de catalunya
  • Fecha de lectura de la tesis:  30/09/2011

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Joan Figueras PÁ mies
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: José Antonio Rubio solí 
    • robert Aitken aitken (vocal)
    • (vocal)
    • (vocal)

 

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