Tesis doctoral de Manuel Vazquez Lopez
En este memoria se presenta la obtencion y caracterizacion de materiales semiconductores de movilidad electronica y su aplicacion a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la tecnica epitaxial almbe (epitaxia por haces moleculares de capas atomicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electronica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parametro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. el trabajo se complementa con la fabricacion de un transistor de efecto campo de alta movilidad electronica (hemt) a partir de las epitaxias obtenidas.
Datos académicos de la tesis doctoral «Aplicacion de la tecnica almbe a los sistema epitaxiales gaas/n-algaas, n-gaas/ingaas y alas/inas/gaas para dispositivos hemt.«
- Título de la tesis: Aplicacion de la tecnica almbe a los sistema epitaxiales gaas/n-algaas, n-gaas/ingaas y alas/inas/gaas para dispositivos hemt.
- Autor: Manuel Vazquez Lopez
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1992
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Briones Fernandez Pola
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Vicento Lopez José Luis
- Luis Castaño Jose (vocal)
- German Gonzalez Diaz (vocal)
- Dolores Golmayo (vocal)