Tesis doctoral de Franciso Javier Blasco Jimenez
Desde sus inicios unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente, las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. Como ejemplos representativos, la longitud del canal y el grosor del óxido de puerta (sio2) de los transitores mos está por debajo delos 100nm y de unos 2nm respectivamente. Dos de los problemas más importantes con que se encuentra la industria microelectrónica para continuar mejorando las prestaciones de los dispositivos tienen su origen en la reducción de los dos parámetros mencionados anteriormente: * como reducir la longitud de canal hasta pocas decenas de nm * como solucionar los problemas asociados a la corriente túnel tan elevada que se tiene en óxidos de puerta tan extremadamente delgados. para reducir la longitud de la puerta, y las dimensiones de las estructuras en general, se están siguiendo dos tendencias: por un lado continuar con la fotolitografía convencional pero utilizando cada vez radiaciones con una longitud de onda menor, i por otro lado, la utilización de técnicas radicalmente nuevas como las microscopías de sonda cercana. Entre estas últimas se debe destacar la microscopía de fuerzas atómicas (afm), que permite realizar oxidaciones locales con dimensiones laterales mínimas del orden de 10 nm y dimensiones verticales por debajo de 1nm. * en esta tesis se ha utilizado este óxido crecido mediante afm como dieléctrico de puerta en estructuras mos y se ha caracterizado con conductive-afm (cafm) tanto a nivel microestructural como eléctrico. Además se ha integrado la oxidación con afm dentro de un proceso cmos estándar. una de las principales estrategias que se ha propuesto para reducir la corriente túnel que se tiene a través del óxido de puerta (que provoca un aumento inaceptable del consumo de energí
Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterització eléctrica de dieléctricos de puerta de dispositivos mos con cafm: sio2 y dieléctricos de alta permitividad«
- Título de la tesis: Caracterització eléctrica de dieléctricos de puerta de dispositivos mos con cafm: sio2 y dieléctricos de alta permitividad
- Autor: Franciso Javier Blasco Jimenez
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 19/06/2005
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Montserrat Nafría Maqueda
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Serra mestres
- francesca Campabadal segura (vocal)
- germán González díaz (vocal)
- blas Garrido fernandez (vocal)