Caracterización óptica de estructuras cuanticas semiconducturas lngap/gaas e lnas/gaas para zonas activas de diodos laser

Tesis doctoral de Carlos Rudamas Flores

En este trabajo de investigación se recoge el estudio de las propiedades ópticas de pozos cuanticos ingap/gaas y de cajas cuanticas inas/gaas, a través de resultados experimentales mediante técnicas de fotoluminiscencia resonante y no resonante, fotolmuniscencia de excitación y fotolmuniscencia resuelta en tiempo. Estos resultados, apoyados por varios modelos teóricos, han permitido obtener conclusiones importantes sobre las transiciones ópticas fundamentales, interacción exciton-fonon, desalineamiento de bandas y localización excitonica en defectos de la aleación en el sistema ingap/gaas, así como en las propiedades ópticas de conjunto y relajación de energía en el sistema inas/gaas.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Caracterización óptica de estructuras cuanticas semiconducturas lngap/gaas e lnas/gaas para zonas activas de diodos laser«

  • Título de la tesis:  Caracterización óptica de estructuras cuanticas semiconducturas lngap/gaas e lnas/gaas para zonas activas de diodos laser
  • Autor:  Carlos Rudamas Flores
  • Universidad:  Universitat de valéncia (estudi general)
  • Fecha de lectura de la tesis:  09/07/2002

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Juan Ignacio Martinez Pastor
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: alfredo Segura García del río
    • Luis Víña liste (vocal)
    • Luisa González sotos (vocal)
    • philippe Rovssignol (vocal)

 

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