Tesis doctoral de Fernando Jose Sanchez Sanz
Esta tesis doctoral se ha dedicado al estudio y caracterización de capas epitaxiales de gan. Este material es un semiconductor de gap ancho (3,4 ev) que ha despertado un gran interés gracias a sus propiedades que posibilitan su aplicación inmediata a la fabricación de emisores en el azul y uv, detectores de uv y transistores de potencia. Se han estudiado capas crecidas sobre sustratos de zafiro y silicio (111) por dos técnicas diferentes, mbe y movpe. las técnicas empleadas han sido fotoluminiscencia, efecto hall y fotocapacidad. Mediante ellas se han caracterizado defectos en material no dopado y ha sido posible la determinación de la energía de activación de varios dopantes como el si (donante), el mg y el be (aceptores). Finalmente se ha realizado un estudio de la influencia de estos defectos y dopantes sobre las prestaciones de dos dispositivos, un detector de uv fotoconductor y un emisor de radiación azul (diodo electroluminiscente).
Datos académicos de la tesis doctoral «Contribucion al estudio de defectos en capas epitaxiales de gan. aplicaciones a dispositivos optoelectronicos.«
- Título de la tesis: Contribucion al estudio de defectos en capas epitaxiales de gan. aplicaciones a dispositivos optoelectronicos.
- Autor: Fernando Jose Sanchez Sanz
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1999
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Enrique Calleja Pardo
- Tribunal
- Presidente del tribunal: elias Muñoz merino
- martin Spaeth johann (vocal)
- Francisco Javier Piqueras de noriega (vocal)
- (vocal)