Tesis doctoral de Javier Rodriguez Viejo
La oxidacion del carburo de silicio elaborado mediante la tecnica de «chemical vapor deposition» ha sido estudiada en el rango de temperaturas (1000 grados c-1500 grados c) y a diferentes presiones parciales de oxigeno (3.10-2-80 atm). La tecnica utilizada para la determinacion de la cinetica de crecimiento de la capa de oxido y de su cristalizacion es la difraccion de rayos x a alta temperatura y en incidencia normal o semirasante. Se presenta tambien un amplio estudio acerca de la difusion del oxigeno a traves sio2, ya sea en estado amorfo o b-cristobalita, estableciendo la diferencia de difusividad en ambas fases. Tambien se ha realizado un analisis detallado de la interfase sio2/sic mediante aes y sims.
Datos académicos de la tesis doctoral «Contribucion al estudio de la cinetica de oxidacion de sic elaborado por c.v.d. y analisis del comportamiento difusional en sio2.«
- Título de la tesis: Contribucion al estudio de la cinetica de oxidacion de sic elaborado por c.v.d. y analisis del comportamiento difusional en sio2.
- Autor: Javier Rodriguez Viejo
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1993
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- María Teresa Mora Aznar
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Serra
- Claude Monty (vocal)
- Salvador De Aza (vocal)
- Jordi Pascual (vocal)