Tesis doctoral de Javier Martínez López
Una de las ramas fundamentales de la investigación en ciencias de materiales es la preparación de las muestras. La caracterización estructural y el estudio de las propiedades físicas de los materiales, buscando los candidatos idóneos para las aplicaciones tecnológicas deseadas, implica, necesariamente, un paso previo: la fabricación del material. Dentro del amplio espectro de materiales, los monocristales tienen una posición tecnológica muy importante. así, el crecimiento de monocristales de óxidos, y concretamente el de los de tipo sillenita entre los que se encuentra el óxido doble de bismuto y silício (bi12sio20), fue impulsado fundamentalmente por el descubrimiento de sus aplicaciones en diferentes dispositivos electromecánicos y electroópticos (ballman, 1967; ballman et al., 1973: brice y pratt, 1975; brice et al., 1977). En la mayoría de los casos, la utilización de estas propiedades tan específicas sólo puede lograrse en materiales con un alto grado de perfección estructural y química, de ahí la importancia que se le otorga a la caracterización de dichos materiales. Además, esta caracterización debe contribuir con posterioridad a mejorar el proceso de obtención de los cristales. a lo largo de esta memoria se han expuesto y discutido los resultados experimentales del crecimiento por el método de czochralski y de la caracterización por topografia de radiación sincrotrón de cristales del óxido doble de bismuto y silício (bi12sio20). Se han puesto a punto dos equipos de crecimiento de cristales por el método czochralski con control del diámetro para materiales tipo sillenita. Se ha llevado a cabo un estudio de los diferentes valores que se pueden obtener del gradiente taxial de temperatura en función del tipo de elemento calefactor utilizando (rf ó sic) y del empleo de afterheaters, así como de la posición del crisol en la cavidad del horno. Se ha comprobado la relación que existe entre la evoluci
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento czochralski y caracterización por topografíade radiación sincrotron de cristales del óxido doble de bismuto y silicio: bi12si020«
- Título de la tesis: Crecimiento czochralski y caracterización por topografíade radiación sincrotron de cristales del óxido doble de bismuto y silicio: bi12si020
- Autor: Javier Martínez López
- Universidad: Cádiz
- Fecha de lectura de la tesis: 18/06/1999
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Caballero López Lendinez Manuel Antonio
- Tribunal
- Presidente del tribunal: manuel Rodríguez gallego
- Rafael Jimenez garay (vocal)
- Francisco Lopez aguayo (vocal)
- ernesto Dieguez delgado (vocal)