Tesis doctoral de Mohamed Ait Lhouss
Se ha desarrollado y puesto a punto un sistema de crecimiento epitaxial de capas semiconductoras en condiciones de ultra alto vacio a partir de organometalicos (cbe). Se han estudiado las condiciones y productos de descomposicion del tbas en una celula de inyeccion de nitruro de boro, encontrandose las mejores condiciones para la utilizacion de tbas como fuente de as. se han crecido capas de asga a partir de flujos continuos de tega y tbas y se ha estudiado la calidad de estas capas en funcion de las condiciones de crecimiento (temperatura del sustrato, velocidad de crecimiento, relacion de flujos y temperatura de descomposicion de tba). El estudio de la calidad de las capas ha incluido caracterizacion electrica, optica y morfologica. se han crecido asi mismo capas de asga a partir de flujos alternados de tbas y tega. en estas condiciones se han obtenido crecimientos para temperaturas del sustrato por encima de 380 grados c.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento por epitaxia de haces quimicos (cbe) de gaas a partir de tbas y de tega.«
- Título de la tesis: Crecimiento por epitaxia de haces quimicos (cbe) de gaas a partir de tbas y de tega.
- Autor: Mohamed Ait Lhouss
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1995
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Castaño Palazón José Luis
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Juan Manuel Rojo Alaminos
- Juan Piqueras Piqueras (vocal)
- Miguel Y Anton José Luis (vocal)
- (vocal)