Tesis doctoral de Daniel Wildt
Se ha estudiado el crecimiento epitaxial de gaas1-xpx utilizando como precursores organometalicos los compuestos tbas, tbp y tega. mediante difracción de rayos x y fotoluminiscencia se ha estudiado la incorporación de fósforo, resultando una baja competencia entre las especies de arsénico y fósforo. Los crecimientos se han realizado mediante cbe, ale y crecimiento controlado por los elementos v. las medidas de fotoluminiscencia en emisión y excitación revelan el efecto de la tensión biaxial, que elimina la degeneración de la banda de Valencia. por último, se ha aplicado esta técnica para el crecimiento de pozos cuánticos y para el crecimiento selectivo sobre sustratos enmascarados, haniéndose obtenido resultados prometedores.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento por epitaxia de haces quimicos (cbe) de gaas1-xpxa partir de tbas, tbp y tega.«
- Título de la tesis: Crecimiento por epitaxia de haces quimicos (cbe) de gaas1-xpxa partir de tbas, tbp y tega.
- Autor: Daniel Wildt
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1999
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Garcia Carretero Basilio Javier
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Juan Piqueras piqueras
- Antonio Muñoz yague (vocal)
- Luisa González sotos (vocal)
- enrique Calleja pardo (vocal)