Tesis doctoral de Miguel Anton José Luis De
El trabajo supone una aportacion al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares en los siguientes puntos: 1. Ensayo de dopantes alternativos 2. estudio de la estequiometria y morfología de la superficie que crece mediante difraccionde electrones rasantes de alta energia (rheed) 3. Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema ap-ga-as incidiendo sobre sus caracteristicas de emision mediante la optimizacion de su diseño.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento por nbe de gaas, apxga1-xap y pozos cuanticos multiples alas/gaas y su caracterizacion morfologica electrica y optica.«
- Título de la tesis: Crecimiento por nbe de gaas, apxga1-xap y pozos cuanticos multiples alas/gaas y su caracterizacion morfologica electrica y optica.
- Autor: Miguel Anton José Luis De
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1986
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Briones Fernandez Pola
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Antonio Hernando Grande
- Juan Piqueras Piqueras (vocal)
- Guerra Perez José Manuel (vocal)
- Elias Muñoz Merino (vocal)