Tesis doctoral de Pedro Huertas Gallardo
El trabajo que comprende esta memoria se encuadra dentro de las tecnologías de los semiconductores iii-v. Durante la misma se ha estudiado el crecimiento y caracterizacion de diferentes convinaciones de materiales iii-v, para aplicarlos en dispositivos optoelectronicos. Los sustratos utilizados han sido si, ga as e inp. Hay que destacar el esfuerzo que se ha realizado en este ultimo para conseguir epitexias de alta calidad, a baja temperatura de sustrato 250 grados-340 grados centigrados (mediante la tecnica de epitexia por haces moleculares de capas atomicas; utilizando fuentes solidas para todos los elementos. Estos trabajos nos han permitido conseguir emisores de luz entorno a 1.55 m que podran ser utilizadas en un futuro en sensores integrados monoliticamente en sustratos si.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento y caracterizacion de binarios y heteroestructuras tensadas de semiconductores iii-v y su aplicacion a dispositivos optoelectronicos.«
- Título de la tesis: Crecimiento y caracterizacion de binarios y heteroestructuras tensadas de semiconductores iii-v y su aplicacion a dispositivos optoelectronicos.
- Autor: Pedro Huertas Gallardo
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1994
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Fernando Briones Fernandez Pola
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Pedro Rojo Alaminos
- Dolores Golmayo Fernandez (vocal)
- Rodriguez Rodriguez Juan Manuel (vocal)
- Miguel Y Anton José Luis (vocal)