Tesis doctoral de Gonzalez Diez M. Yolanda
En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsecamente ligados al sistema epitaxial gaas sobre si.Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficiente de expansion termica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilacion de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre sustratos de si tambien tratados a baja temperatura.
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento y caracterizacion de gaas sobre si por epitaxia de haces moleculares.«
- Título de la tesis: Crecimiento y caracterizacion de gaas sobre si por epitaxia de haces moleculares.
- Autor: Gonzalez Diez M. Yolanda
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1991
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Luisa González Sotos
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Javier Piqueras De Noriega
- Castaño Palazón José Luis (vocal)
- Dolores Gomayo Fernandez (vocal)
- Federico Soria Gallego (vocal)