Tesis doctoral de Miguel ángel Sánchez García
Los nitruros del grupo iii (gan, aln, inn) han sido considerados durante muchos años como semiconductores ideales para la fabricaciónde dispotivios optoelectrónicos que funcionen en el margen azul-ultravioleta (uv). La posibilidad de sintetizar los distintos compuestos ternarios, hacen que estas aleaciones de gap directo cubran un amplio espectro de energías, desde los 1,9 ev (rojo) del inn, pasando por 3,4 ev (uvb) del gan, hasta los 6,2 ev (uvc) del ain. El principal objetivo de esta tesis ha sido el crecimiento de nitruros del grupo iii (gan, aln y alx ga1-1n) por epitaxia de haces moleculares (mbe) asistido por plasma de nitrógeno, utilizando substratos de si en la dirección (111). la razón del flujos moleculares de los elementos iii (ga, al) y v (n) utilizada durante el crecimiento es el parámetro más crítico que controla la morfología de la capa crecida así como sus propiedades ópticas y eléctricas. un estudio del valor de dicha razón confirma que razones iii/v con exceso de nitrógeno (iii/v << 1) da lugar a un crecimiento da lugar a un crecimiento de microcristales columnares, mientras que con razones ligeramente ricas en ga (iii/v>1) se obtienen capas compactas. Las capas de gan con mejor calidad cristalina son crecidas utilizando una capa intermedia (buffer) de aln y un crecimiento en dos etapas: un inicio con una velocidad muy lenta (0,008um/h) para luego continuar con una velocidad típica de 0,48 um/h. el dopado tipo-n de las capas de gan y algan se obtiene utilizando si, alcanzando niveles por encima de 10 19 cm-3. El dopado tipo-p se analiza con be, mg y c. De los tres aceptores, el be resulta ser la especie aceptora con menor energía de activación (90 mev) según las medidas ópticas. No se puede medir una conductividad eléctrica tipo-p debido a problemas de solubilidad del be en el gan y a la posibilidad de que exista un fenómeno de autocompensación al formarse be intersticial, que actúa c
Datos académicos de la tesis doctoral «Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo iii sobre si(111) por epitaxia de haces moleculares.«
- Título de la tesis: Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo iii sobre si(111) por epitaxia de haces moleculares.
- Autor: Miguel ángel Sánchez García
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 27/11/2000
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Enrique Calleja Pardo
- Tribunal
- Presidente del tribunal: elías Muñoz merino
- james Speck (vocal)
- Manuel Elices calafat (vocal)
- klaus Ploog (vocal)