Creixement cristal: li i caracteritzacio fonamental de semiconductors semimagnetics de gap estret

Tesis doctoral de Cándid Reig Escrivá

Los semiconductores semimagneticos presentan unas propiedades unicas, que los convierten en materiales potencialmente utiles tanto en aplicaciones tecnologicas como en investigación basica. Sin embargo, los procesos que conducen a su crecimiento cristalino no estan del todo establecidos. los principales problemas que aparecen en el crecimiento en volumen de las aleaciones hg-mn-vi son los asociados con las inhomogeneidades, la alta presion de vapor de mercurio y la oxidacion del manganeso. en la presente tesis se sugieren metodos alternativos a los propuestos por otros autores, basados en proceso a baja temperatura y de desplazamiento de zona disolvente, que reducen sustancialmente estas dificultades. los materiales asi obtenidos fueron caracterizados mediante una serie de tecnicas que incluyeron: microscopia electronica, difraccion de rayos x, absorción optica, medidas de efecto hall y suceptibilidad magnetica. el conjunto de resultados obtenidos de su aplicación nos permitio poner de manifiesto la buena calidad de los materiales crecidos.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Creixement cristal: li i caracteritzacio fonamental de semiconductors semimagnetics de gap estret«

  • Título de la tesis:  Creixement cristal: li i caracteritzacio fonamental de semiconductors semimagnetics de gap estret
  • Autor:  Cándid Reig Escrivá
  • Universidad:  Universitat de valéncia (estudi general)
  • Fecha de lectura de la tesis:  25/07/2000

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Vicente Muñoz Sanjosé
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: alfredo Segura García del río
    • Francisco Diaz gonzalez (vocal)
    • robert Triboulet (vocal)
    • Rafael Rodríguez clemente (vocal)

 

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