Tesis doctoral de José María Ulloa Herrero
El trabajo realizado es una contribución al desarrollo de diodos láser de pozo cuántico de ingaas/gaas(111)b para emisión en 1.06 -1.1 micras y de gainnas/gaas para la región de 1.3 -1.55 micras. Se presenta un detallado estudio teórico que incluye el cálculo de la estructura de bandas y la ganancia material de los mencionados pozos cuánticos. en el cso del ingaas, se demuestra emisión láser a temperatura ambiente hasta 1.11 micras y demuestra que el campo piezélectrico está sólo parcialmente apantallado en umbral . También se calcula por primera vez la renormalización del gap en estos dispositivos , resultados ser mayor que en el caso equivalente en substrato convencional (100). en cuanto al galnnas, además de analizar de forma teórica los cambios que el n produce en la estructura de bandas y la ganancia del material , se realiza un estudio óptico y estructural de pozos cuánticos que permite relacionar el fenómeno de la localización de portadores con la morfología del pozo , así como aclarar el efecto de los tratamientos térmicos en la fotoluminiscencia. Se utilizan diodos electroluminiscentes para demostrar el enorme impacto de la recombinación no-radiativa y finalmente se demuestra emisión láser hasta 1.52 micras con valores record de densidd de corriente umbral.
Datos académicos de la tesis doctoral «Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de ingaas (n)gaas«
- Título de la tesis: Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de ingaas (n)gaas
- Autor: José María Ulloa Herrero
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 25/04/2005
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Sánchez Rojas José Luis
- Tribunal
- Presidente del tribunal: enrique Calleja pardo
- eric Tournié (vocal)
- ignacio Esquivias moscardo (vocal)
- achim Trampert (vocal)