Tesis doctoral de Jesús Alvarez Alonso
En los ultimos años el interes por los siliciuros de los metales de transicion ha crecido considerablemente debido a su utilidad en la fabricacion de circuitos integrados. la mayoria de los siliciuros de los metales de transicion son metalicos, por lo que suelen ser utilizados como contactos ohmicos, electrodos de puerta o barreras schottky. Aparte de estos siliciuros metalicos, existen otros siliciuros que son semiconductores. Entre estos, cabe destacar el b-fesi2. Este compuesto ha merecido ultimamente gran atencion debido a que posee un gap directo de 0.85 ev, con un considerable interes para el desarrollo de detectores y emisores de luz en el infrarrojo. en este trabajo de investigacion se ha estudiado la formacion de siliciuros de hierro sobre si(100) y si(111). Se ha encontrado los rangos de estabilidad de los diversos siliciuros de hierro estables en volumen. El crecimiento de las peliculas de siliciuros se ha efectuado por medio de epitaxia de fase solida y epitaxia de deposicion reactiva. Se ha encontrado la formacion de fases metaestables de siliciuros de hierro sobre si(111). se ha observado tambien una transicion de fase estructural del tipo jahn-teller entre fases metaestables y fases de volumen.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estructura electronica de siliciuros de hierro crecidos sobre si(100) y si(111)«
- Título de la tesis: Estructura electronica de siliciuros de hierro crecidos sobre si(100) y si(111)
- Autor: Jesús Alvarez Alonso
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1993
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Rodolfo Miranda Soriano
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Juan Manuel Rojo Alaminos
- Fernando Agullo Lopez (vocal)
- Felix Yndurain Muñoz (vocal)
- Federico Soria (vocal)