Tesis doctoral de Susana Holgado González-guerrero
En la primera parte de esta tesis se resume todo el equipo experimental utilizado. La segunda parte consiste en el estudio de la cinética de recristalización de capas implantadas tras someterlas a diversos tratamientos térmicos. este trabajo se complementa en la tercera parte, donde a las muestras previamente amorfizadas por implantación iónica se las somete a un plasma de hidrógeno (bien de resonancia ciclotrón de electrones como de radiofrecuencias) con el fin de estudiar de qué modo afecta la introducción de dicho hidrógeno en la velocidad de recistalización de las capas implantadas, y tras someterlas a los tratamientos térmicos. La cuarta parte de este trabajo consiste en el depósito de capas de silicio amorfo mediante plasma de resonancia ciclotrón de electrones, primeramente sin introducir hidrógeno en el plasma, y luego introduciéndolo, para estudiar la evolución del frente amorfo/cristalino tras los tratamientos térmicos que se efectúan. Por último se exponen las conclusiones a las que ha dado lugar todo el trabajo.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio de procesos de cristalización en láminas de silicio amorfo microcristalino«
- Título de la tesis: Estudio de procesos de cristalización en láminas de silicio amorfo microcristalino
- Autor: Susana Holgado González-guerrero
- Universidad: Autónoma de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 09/10/1997
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Javier Martinez Rodríguez
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Antonio Luque
- eduardo Elizalde perez-grueso (vocal)
- Juan Piqueras piqueras (vocal)
- Alberto Cornet (vocal)