Tesis doctoral de El Felk Drioui Zakia
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de si(001) y capas pseudomórficas de si1-ycy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en el crecimiento vía deposición química en fase vapor. La temepratura mínima de epitaxia de las capas de si ha sido del orden de 600ºc. Dependiendo de los flujos y la temperatura se ha observado la formación de micromaclas a lo largo de la dirección (111).También se ha efectuado el crecimiento de las aleaciones mediante epitaxia en fase sólida utilizando una dosis de implantación de carbono elevadas. La implantación iónica de si en substrtao de si (180 kev, 5×10 ion/cm2) ha resultado en la formación de una capa enterrada de silicio amorfo. Las muestras recogidas a temperaturas de 650ºc, han crecido pseudomorficamente, con la presencia de máximos de interferencia en la zona de bajos ángulos con respecto al pico del substrato. Estos máximos son consecuenica de las zonas con esfuerzos de compresión y de fenómenos de inteferencia entre las distintas zonas. La implantación de c se ha efectuado a 40 kev y 9×10 ion/cm2; bajo estas condiciones se ha conseguido el crecimiento epitaxial en fase sólida de aleaciones de si1-ycy a temperaturas bajas de 450ºc. A pesar de la elevada cantidad de carbono introducido, los resultados obtenidos muestran incorporacion substitucionales del orden de 0.3-0.4%. la baja incorporación de carbono esta relacionada con la presencia de intersticiales de si en exceso. Los intersticiales generados actúan como trampas para los átomos de carbono formando complejos si-c. La formación de estos complejos reduce el estrés asociado y limita la cantidad de c substitucional en el sistema. Un estudio detallado a través del ajsute de las curvas rockin mediante teoría dinámica de rayos x, ha permitido una estimación de los espesores de las capas, la composición y otros parámetros estructurales de los perfi
Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de si y si1-y cy«
- Título de la tesis: Estudio morfológico y estructural del crecimiento epitaxial de capas de si y si1-y cy
- Autor: El Felk Drioui Zakia
- Universidad: Autónoma de barcelona
- Fecha de lectura de la tesis: 05/03/2001
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Javier Rodriguez Viejo
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Mora azanar m. teresa
- salvador Martínez (vocal)
- francois Sibieude (vocal)
- Javier Muños Francisco (vocal)