Tesis doctoral de Cuberes Montserrat M. Teresa
En el trabajo de tesis se aborda el estudio de la formacion de distintas intercaras de oxidos sobre la superficie de asga(100). Se caracteriza cuantitativamente el crecimiento de as2o3 mediante la tecnica eso (electron stimulated oxidation), con un haz electronico de 0.6 ma cm-2 y 150 ev de energia. Se determinan las reacciones interfaciales durante la reduccion termica del as2o3 a distintas temperaturas (300 grados c <=t<= 450 grados c). el estudio del espectro de o(kw) permite la distincion de señales correspondientes a enlaces as-o y ga-o, no resueltas en el espectro de o(1s). La evaporacion de si sobre el sustrato de asga oxidado ocasiona la reduccion total de los oxidos de as y ga (de 5 de espesor) y el crecimiento de oxidos de si en la intercara. Se consigue la formacion de una estructura abrupta si/sio2/asga con posibilidades de aplicacion en la tecnología de asga para la obtencion de intercaras aislante/semiconductor. Se lleva a cabo un estudio de la variacion de la posicion del nivel de fermi en la banda prohibida (gap) de asga durante la formacion de las distintas intercaras oxido/semiconductor estudiadas, poniendose de manifiesto la relacion entre la posicion del nivel de fermi y la quimica de las reacciones interfaciales.
Datos académicos de la tesis doctoral «Estudio por espectroscopia de rayos x de la reactividad interfacial de si con la superficie de asga oxidada: formacion de la intercara sio2/gaas.«
- Título de la tesis: Estudio por espectroscopia de rayos x de la reactividad interfacial de si con la superficie de asga oxidada: formacion de la intercara sio2/gaas.
- Autor: Cuberes Montserrat M. Teresa
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1991
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Sacedon Adelantado José Luis
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Francisco Javier Piqueras De Noriega
- Mercedes Fernandez Rodriguez (vocal)
- Enrique Calleja Pardo (vocal)
- (vocal)