Tesis doctoral de José Antonio Garrido Ariza
Los transistores de heterounión (hfet) basados en el sistema algan/gan presentan unas características muy prometedoras para su utilización en aplicaciones de alta potencia (1w-100w) en el rango de las microondas. sin embargo aun quedan muchos aspectos, tanto tecnológicos como de caracterización básica (campos de polarización, ruido de baja frecuencia, etc.), Que no han sido estudiados en profundidad. En este trabajo se investigan algunos de estos apsectos. en primer lugar se ha desarrollado una herramienta de simulación autoconsistente que permite analiar la influencia de los parámetros de diseño de las heterouniones, tales como espesores y composiciones de las capas utilizadas, niveles de dopaje, etc. Una de las características más importantes de las heterouniones basadas en algan/gan es la presencia de unos campos de polarización (piezoeléctrica y espontánea) muy intensos, que hacen que la carga acumulada tenga una magnitud del orden de 10 13 cm-2. Estos campos de polarización se han incluido en los cálculos autoconsistentes de la herramienta de simulación. Sin embargo, se ha comprobado que la carga que resulta de utilizar los valores teóricos de los campos de polarización es mucho menor que la carga real medida. En este sentido, y mediante el análisis de estructuras hfet y de pozos cuánticos, se ha deducido una relación experimental entre los campos de polarización y la composición de al. se ha desarrollado una tecnología básica de fabricación de transistores hfet de algan/gan. Para ello se han estudiado los procesos realcionados con los contactos óhmicos, los contactos schottky y los ataques secos (rie) para el aislamiento de los dipsositivos (ataque mesa). utilizando la tecnología de fabricación previamente desarrolalda se han fabricado transistores y estructuras de barra hall con puerta sobre muestras de algan/gan. En las estructuras de barra hall se han realizado estudios de transporte a bajos
Datos académicos de la tesis doctoral «Fabricación, caracterización y modelado de transitores de heterounión de efecto campo basados en algan/gan«
- Título de la tesis: Fabricación, caracterización y modelado de transitores de heterounión de efecto campo basados en algan/gan
- Autor: José Antonio Garrido Ariza
- Universidad: Politécnica de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 13/07/2000
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- Elías Muñoz Merino
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Izpura torres José ignacio
- Fernando González san (vocal)
- álamo Jesús a. del (vocal)
- José Sanchez-dehesa moreno-cid (vocal)