Fenomenos de oxidacion y crecimiento en las superficies al(iii) y si(iii)

Tesis doctoral de María Del Carmen Muñoz De Pablo

En el presente trabajo se han estudiado: 1) interaccion de o2 con las superficies si(iii) 7×7 y al(iii). 2) oxidacion de si activado por bombardeo electronico. 3) crecimiento epitaxico al(iii)/mica(001) y si/al(iii). 4) analisis comparativo de las transiciones de oxidos de al y si. Las tecnicas empleadas son aes y leed. 1)en el caso del si(iii) 7×7 se obtienen los estados electronicos caracteristicos de una estructura de vacantes 25%. Se identifica como fase molecular el o2 absorbido. En la superficie de al(iii) se descarta el modelo de simple incorporacion de o2 y se da como probable un estado mixto de adsorcion y adsorcion-incorporacion. 2) se determina la cinetica de oxidacion de si activada por bombardeo electronico y el voltaje cinetico asociado comparandose con la teoria de molt-cabrera con resultados satisfactorios. 3) se determinan las condiciones de epitexia de al(iii)/mica y se estudia el crecimiento ordenado si-al(iii) (3×3) asi como la aleacion ordenada si-al(iii) 50% formada por crecimiento a 200 grados centigrados. 4) se determina la influencia del caracter ionico de los oxidos en las densidades de transicion auger.

 

Datos académicos de la tesis doctoral «Fenomenos de oxidacion y crecimiento en las superficies al(iii) y si(iii)«

  • Título de la tesis:  Fenomenos de oxidacion y crecimiento en las superficies al(iii) y si(iii)
  • Autor:  María Del Carmen Muñoz De Pablo
  • Universidad:  Complutense de Madrid
  • Fecha de lectura de la tesis:  01/01/1980

 

Dirección y tribunal

  • Director de la tesis
    • Sacedon Adelantado José Luis
  • Tribunal
    • Presidente del tribunal: Serna Alcaraz Cayetano R
    • Maximino Rodriguez Vidal (vocal)
    • Nicolas Cabrera Sanchez (vocal)
    • Mateo Diaz Peña (vocal)

 

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