Tesis doctoral de Martin Pacheco Jaime Miguel
La presente tesis muestra en primer lugar los sistemas de control diseñados y desarrollados para conseguir el perfecto funcionamiento del implantador de la facultad de fisicas. Se presenta luego un completo estudio de la obtencion por implantacion de capas tipo n (por implantaciones de si y si/p), tipo p (con mg, mg/p o mg/ar) y capas de alta resistividad (por he y ti) en inp, tanto desde el punto de vista electrico (medidas de resistividad y efecto hall y de sims) como optico (por fotoluminiscencia y espectroscopia raman). finalmente, se describen las caracteristicas en continua y alterna de uniones schottky y p-n, realizadas por implantacion tanto en sustratos semiaislantes como en sustratos con conductividad tipo n o p. Las medidas en alterna incluyeron las tecnicas de espectroscopia de admitancias y dlts, y pusieron de manifiesto la aparicion de varios niveles profundos debidos al tratamiento de rta aplicado, asi como otros debidos a defectos introducidos por la implantacion.
Datos académicos de la tesis doctoral «Implantacion ionica en inp para aplicaciones en dispositivos«
- Título de la tesis: Implantacion ionica en inp para aplicaciones en dispositivos
- Autor: Martin Pacheco Jaime Miguel
- Universidad: Complutense de Madrid
- Fecha de lectura de la tesis: 01/01/1995
Dirección y tribunal
- Director de la tesis
- German Gonzalez Diaz
- Tribunal
- Presidente del tribunal: Juan Manuel Rojo Alaminos
- Elias Muñoz Merino (vocal)
- Bailon Vega Luis Alberto (vocal)
- (vocal)